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HMCAC10H03ATP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HMCAC10H03ATP

耐压:30V 电流:150A

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描述
这款N沟道场效应管(MOSFET)具有卓越的电气性能,支持的最大连续漏极电流为150A(ID/A),最高耐压达到30V(VDSS/V)。其导通电阻仅为2mR(RDON/mR),显著降低了功率损耗,提高了整体效率。该MOSFET可以承受最高20V(VGS/V)的栅源电压,确保了在广泛的应用场景中稳定运行。适用于各种电源管理、信号处理及电子开关应用,能够有效提升系统的性能与可靠性。
商品型号
HMCAC10H03ATP
商品编号
C42401473
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.137333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))2.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)187W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)56.9nC@10V
输入电容(Ciss)4.345nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)340pF

数据手册PDF

优惠活动

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