HMCAC10H03ATP
耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具有卓越的电气性能,支持的最大连续漏极电流为150A(ID/A),最高耐压达到30V(VDSS/V)。其导通电阻仅为2mR(RDON/mR),显著降低了功率损耗,提高了整体效率。该MOSFET可以承受最高20V(VGS/V)的栅源电压,确保了在广泛的应用场景中稳定运行。适用于各种电源管理、信号处理及电子开关应用,能够有效提升系统的性能与可靠性。
- 商品型号
- HMCAC10H03ATP
- 商品编号
- C42401473
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个5000个/圆盘
总价金额:
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