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HMCAC10H03ATP
耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有卓越的电气性能，支持的最大连续漏极电流为150A（ID/A），最高耐压达到30V（VDSS/V）。其导通电阻仅为2mR（RDON/mR），显著降低了功率损耗，提高了整体效率。该MOSFET可以承受最高20V（VGS/V）的栅源电压，确保了在广泛的应用场景中稳定运行。适用于各种电源管理、信号处理及电子开关应用，能够有效提升系统的性能与可靠性。
- 商品型号
- HMCAC10H03ATP
- 商品编号
- C42401473
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
HMCAC10H03ATP采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V \quad ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 m Ω VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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