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HSTD20P3H6AG
P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于要求高性能和可靠性的应用。它支持最大漏极电流ID为20A，拥有30V的击穿电压VDSS，以及在VGS=25V时仅为36mΩ的导通电阻RDON。这些特性使得该MOSFET特别适合于需要快速开关响应和低损耗的电路设计。无论是电源管理还是信号处理，这款MOSFET都能提供卓越的效率和稳定性，确保在各种应用场景中实现精确控制。
- 商品型号
- HSTD20P3H6AG
- 商品编号
- C42401471
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.416162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
HSTD20P3H6AG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 30V ID = - 20A
- RDS(ON) < 42 mΩ @ VGS = 10V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源