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HBSC025N03MSG
N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，最大可承受连续漏极电流150A（ID/A），最高耐压可达30V（VDSS/V）。其导通电阻仅为2mR（RDON/mR），确保了低损耗和高效能。工作电压范围宽广，支持最高20V（VGS/V）的栅源电压，适用于多种电路设计需求。这款MOSFET适用于电源管理、电池充电控制以及开关电源等应用场景，能够提供稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- HBSC025N03MSG
- 商品编号
- C42401472
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
HBSC025N03MSG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON) 、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = 30V I D = 150A
- R D S (O N) < 2.4mΩ V G S = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源