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HNVATS4A103PZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 此款P沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流（ID/A）可达50A，最大漏源电压（VDSS/V）为30V，导通电阻（RDON/mR）仅为9.5mΩ，且支持的最大栅源电压（VGS/V）为25V。该元件适用于需要高效能开关操作的应用场合，如电源管理、电池保护电路以及各种便携式电子设备中的信号处理等，能够确保在高频率和大电流条件下稳定运行，同时降低能耗，提高系统效率。
- 商品型号
- HNVATS4A103PZ
- 商品编号
- C42401464
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
HNVATS4A103PZ采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = 50 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 13 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源