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HBUK721955A118
耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电气参数，最大漏极电流（ID/A）为50A，最大漏源电压（VDSS/V）高达60V，导通电阻（RDON/mR）仅为15mΩ，支持的最大栅源电压（VGS/V）为20V。该器件适用于需要高效、快速切换的应用场景，如电源适配器、充电器以及各类电子设备中的直流转换电路，可显著减少功率损耗，提高能源利用效率，同时保证系统的稳定性和可靠性。
- 商品型号
- HBUK721955A118
- 商品编号
- C42401465
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HBUK721955A118采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 50A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源