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HIRF9358TRPBF
P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 此款场效应管（MOSFET）采用P+P沟道设计，具备11A的连续漏极电流能力，最大漏源电压可达30V。其导通电阻仅为14mΩ，在20V的栅源电压下表现出色。该器件适用于需要高效能与低损耗的应用场景，如电源管理、信号放大及各类电子开关电路中，能够提供稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- HIRF9358TRPBF
- 商品编号
- C42401469
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HNVATS4A103PZ采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30 V，ID = 50 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 13 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源