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HMCQ4407TP
1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有15A的连续漏极电流能力和30V的最大漏源电压承受能力。其低至5.8mΩ的导通电阻确保了在20V栅源电压下的高效性能。适用于精密电源管理和信号切换电路中，能显著减少能量损耗，提升转换效率。同时，该MOSFET的紧凑设计和优秀的热稳定性，使其成为各种便携式电子设备和复杂电路设计中的理想选择。
- 商品型号
- HMCQ4407TP
- 商品编号
- C42401462
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HMCQ4407TP采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -15A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 8.7 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源