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HFDS6679
耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 此P沟道场效应管（MOSFET）具有卓越的电气性能，最大漏极电流ID为15A，最大漏源电压VDSS达到30V，导通电阻RDON低至5.8mΩ，且在VGS为20V时表现优异。这些特性使得该MOSFET特别适合用于高效能的开关电路和电源转换应用中，能够有效降低能耗，提升系统的稳定性和效率。其小巧的尺寸设计也便于在多种电子设备中实现灵活布局，满足不同应用场景的需求。
- 商品型号
- HFDS6679
- 商品编号
- C42401463
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.7mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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