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HNTTFS4939NTAG
N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的最大连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适合需要大电流承载能力的应用场景。其导通电阻（RDON）仅为4毫欧，能够在高负载条件下保持较低的功耗，提升整体效率。该MOSFET的栅源电压（VGS）为±20V，提供了灵活的控制选项。适用于电源转换、开关控制等电子电路，能够实现快速、稳定的响应，满足高性能电子设备的设计要求。
- 商品型号
- HNTTFS4939NTAG
- 商品编号
- C42401460
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HNTTFS4939NTAG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 60A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源