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HPHD97NQ03LT118
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流能力，耐压高达30V，导通电阻仅为5mΩ，确保了低损耗与高效能。其栅源电压范围为20V，适用于多种电源转换及管理场景，如开关电源、电池管理系统等。此元件设计紧凑，易于集成到电路板中，特别适合要求高效率、小体积的应用场合。
- 商品型号
- HPHD97NQ03LT118
- 商品编号
- C42401457
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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