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HPPMT12V4
P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具有5A的最大连续漏极电流和20V的漏源击穿电压，其导通电阻为35mΩ，确保了在低功耗下的高效运行。该MOSFET的栅源电压阈值为12V，适用于需要精确控制和快速响应的电路中，如电源切换、逻辑电平转换等领域。其小巧的设计和优异的电气性能，使其成为各种电子项目中的理想选择。
- 商品型号
- HPPMT12V4
- 商品编号
- C42401458
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 857pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HPPMT12V4采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -5A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- 高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- SOT - 23
- P沟道MOSFET