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HPPMUT20V3
20V 1.8A
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- 描述
- 此款P沟道场效应管（MOSFET）具有1.8A的连续漏极电流（ID）和20V的漏源击穿电压（VDSS），确保了其在各种电路中的稳定性能。该元件的导通电阻（RDON）仅为120mΩ，在8V栅源电压（VGS）下工作时，能够有效减少发热，提高效率。适用于电源管理、信号切换等应用场合，是实现高效能与小体积设计的理想选择。
- 商品型号
- HPPMUT20V3
- 商品编号
- C42401453
- 商品封装
- SOT-323-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |