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HPK616BA
N沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流（ID）可达80A，确保了高负载条件下的稳定运行。该器件的漏源极间电压（VDSS）为30V，适用于多种电路设计中，能够承受较高的电压波动。导通电阻（RDS(on)）低至4.7mΩ，在保证效率的同时减少了热能损耗。栅源极电压（VGS）范围为±20V，提供了宽泛的操作灵活性。此MOSFET适用于电源管理、信号处理等电子设备中的开关或放大功能，能够有效提升系统的整体性能。
- 商品型号
- HPK616BA
- 商品编号
- C42401448
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
商品概述
HPK616BA采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 70A
- RDS(ON) < 7mΩ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源