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HSPD30P06PG
P沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流可达15A，击穿电压高达60V，导通电阻仅为70mΩ。该器件的栅源电压范围为20V，确保了在各种电路中的稳定工作。适用于需要高效能开关或电源管理的应用场景，如便携式电子设备、消费电子产品及通信设备中的信号切换与控制。其低导通电阻有助于减少发热，提高系统效率。
- 商品型号
- HSPD30P06PG
- 商品编号
- C42401454
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.407071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.447nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97.3pF |
商品概述
HSPD30P06PG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 60V,ID = - 15A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 82mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源