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HSNN1000L10D
N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受较高的工作电压和电流。其导通电阻（RDS(on)）仅为80mΩ，在大电流应用中可以有效减少发热，提高效率。该MOSFET的栅极阈值电压（VGS）为20V，确保了在高电压条件下稳定的工作性能。适用于开关电源、电机控制等高效率转换场景。
- 商品型号
- HSNN1000L10D
- 商品编号
- C42401452
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.433333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSNN1000L10D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 20A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 87mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源