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HPNMT20V3
N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具有3A的最大漏极电流（ID），适用于需要中等电流承载能力的电路设计。其漏源极耐压（VDSS）为20V，适合在标准电压范围内工作的应用。导通电阻（RDS(on)）仅为43mΩ，有助于减少发热并提高效率。该器件支持最高12V的栅源极电压（VGS），便于与多数控制电路兼容。这款MOSFET可用于电源管理、信号处理等多种电子项目中，作为高效的开关或放大组件，提供稳定的性能表现。
- 商品型号
- HPNMT20V3
- 商品编号
- C42401450
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
HPNMT20V3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V
- ID = 3.0 A
- RDS(ON) < 53 mΩ @ VGS = 4.5 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源