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HPNMT30V6
耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其最大漏极电流ID可达5.8A，最大漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON仅为28mΩ，在VGS=12V的工作条件下表现尤为优异。该元件适用于多种电路设计中，如电源管理、信号切换等场合，能够有效提升电路效率与稳定性，同时其紧凑的设计有利于节省空间，便于集成到各种电子设备中。
- 商品型号
- HPNMT30V6
- 商品编号
- C42401451
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
HPNMT30V6采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 5.8A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 30 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源