温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HPMV213SN215
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有2A的最大漏极电流（ID），适合用于要求不高电流的应用场合。其漏源极击穿电压（VDSS）高达100V，确保了在高电压环境下的可靠工作。导通电阻（RDS(on)）为220mΩ，虽然相对较高，但在低功耗应用中仍能保持良好的效率。该器件支持±20V的栅源极电压（VGS），增强了其在复杂电路中的适应性。此MOSFET可广泛应用于各种电子设备中，如电源转换、信号调节等领域，作为开关或放大元件，能够满足多样化的设计需求。
- 商品型号
- HPMV213SN215
- 商品编号
- C42401449
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 711pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单