HNVTFS5C471NLTAG
HNVTFS5C471NLTAG
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备60安培的最大连续漏极电流（ID）和40伏的最大漏源电压（VDSS），适用于要求高性能和高可靠性的电路设计。其低至6.9毫欧的导通电阻（RDON）显著降低了功率损耗，提升了转换效率。支持高达20伏的栅源电压（VGS），增强了驱动灵活性。该MOSFET特别适合用于电源转换、信号处理和精密控制等领域的电子设备中，作为关键组件实现高效能的开关操作。
- 商品型号
- HNVTFS5C471NLTAG
- 商品编号
- C42401444
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HNVTFS5C471NLTAG采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用