HNVTFWS008N04CTAG
HNVTFWS008N04CTAG
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的最大连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），确保了其在高功率应用中的稳定性和可靠性。其导通电阻（RDON）仅为6.9毫欧，有效降低了工作时的功率损耗，提高了效率。该MOSFET的栅源电压（VGS）范围为±20V，支持广泛的工作条件，适用于多种电路设计，如电源转换、信号放大等场合，是高性能电子设备的理想选择。
- 商品型号
- HNVTFWS008N04CTAG
- 商品编号
- C42401446
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HNVTFWS008N04CTAG采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离直流-同步整流应用