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HPHD71NQ03LT118
N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有50A的最大连续漏极电流（ID/A）和30V的漏源极击穿电压（VDSS/V），适用于对电流承载能力和电压耐受性有较高要求的应用。其7.5毫欧的导通电阻（RDON/mR）确保了在大电流条件下也能保持较低的功率损耗，提升了系统的整体效率。该MOSFET的栅源电压（VGS/V）为20V，支持在广泛的电压范围内稳定工作。此元件适用于开关电源、电机驱动和信号处理等多种应用场景，是实现高效转换和精确控制的优选解决方案。
- 商品型号
- HPHD71NQ03LT118
- 商品编号
- C42401447
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376768克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
HPHD71NQ03LT118采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 50 A
- RDS(ON) < 10 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源