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HNVTFS5C478NLTAG

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）拥有60安培的最大连续漏极电流（ID）和40伏的最大漏源电压（VDSS），适用于多种高要求的电子应用。它具备6.9毫欧的低导通电阻（RDON），能够在大电流条件下减少能量损失，提高系统效率。支持20伏的栅源电压（VGS），保证了广泛的适用性和灵活性。这款MOSFET是构建高效电源管理系统、实现精准信号调节和优化电路性能的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HNVTFS5C478NLTAG
商品编号: C42401445
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

HNVTFS5C478NLTAG采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。