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HNVTFS4C10NTAG
N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有60A的最大连续漏极电流和30V的漏源极断态电压（VDSS），适用于多种电路设计需求。其导通电阻低至6毫欧（mΩ），在大电流条件下可显著降低功耗，提升系统效率。该MOSFET支持最大20V的栅源电压（VGS），确保了在广泛的工作电压范围内的稳定性能。适用于电源管理、信号处理等领域的精密控制和高效转换，是电子项目中的理想选择。
- 商品型号
- HNVTFS4C10NTAG
- 商品编号
- C42401442
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
HNVTFS4C10NTAG采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V \quad ID = 35 A
- RDS(ON)< 10 m Ω@ VGS=10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源