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HIRL530NSPbF
N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达15A的连续漏极电流，具备100V的漏源电压承受能力。其导通电阻为100毫欧姆，确保了较低的功耗和良好的热性能。该器件可在不超过20V的栅源电压下稳定工作，适用于多种电子设备中的高效开关与电源管理应用。凭借其优异的电气特性和可靠性，这款MOSFET适合用于需要高性能、低损耗解决方案的小型至中型电子产品设计中。
- 商品型号
- HIRL530NSPbF
- 商品编号
- C42401352
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.404克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
HIRL530NSPBF采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 15A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 112 mΩ
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流转换器