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HRJE0605JPD
耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管具有20A的连续漏极电流能力和60V的漏源电压额定值，适用于需要高效能开关或线性控制的应用。其低至64mΩ的导通电阻有助于减少系统功耗并提高整体效率。该MOSFET还支持高达20V的栅源电压，确保了良好的驱动性能与兼容性。凭借这些特性，它成为电源管理、负载切换等场景下的理想选择。
- 商品型号
- HRJE0605JPD
- 商品编号
- C42401358
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
HRJE0605JPD采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V,ID = -20A
- RDS(ON)< 72 m Ω@ VGS=-10 V
- RDS(ON)< 100 m Ω@ VGS=-4.5 V
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理