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HSI7850DPT1E3
耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)具备30A的漏极电流能力和60V的漏源击穿电压，适用于需要高效能开关的应用场景。其导通电阻为20mΩ，有助于降低功耗并减少发热。支持高达20V的栅源电压，确保了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。该MOSFET非常适合用于要求高效率和紧凑设计的消费电子产品中，如电源管理、照明控制等领域。
- 商品型号
- HSI7850DPT1E3
- 商品编号
- C42401371
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
HSI7850DPT1E3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 30A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 25 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源