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HSI4401DY
1个P沟道 耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管具备出色的电气特性，适用于多种电子设计。其主要参数包括：最大连续漏极电流ID为13A，能够承受高达40V的漏源电压VDSS，确保了在高负载条件下的稳定运行；导通电阻RDON仅为14mΩ，有助于减少功率损耗并提高效率；栅源电压VGS范围为20V，提供了良好的驱动兼容性。此MOSFET适合于需要高效开关控制及低内阻要求的应用场合，如消费电子产品中的电源管理电路等。
- 商品型号
- HSI4401DY
- 商品编号
- C42401391
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSI4401DY采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -13A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源