HBSS138LT3G
HBSS138LT3G
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.2A的最大连续漏极电流（ID）和50V的漏源极击穿电压（VDSS），适用于多种低至中等功率的应用场景。其导通电阻（RDON）仅为1100毫欧，有助于减少工作时的能耗，提高转换效率。该器件支持最高20V的栅源电压（VGS），为设计者提供了广泛的操作范围。此MOSFET凭借其出色的电气特性和可靠性，非常适合用作电源管理、信号切换等电路中的关键组件。
- 商品型号
- HBSS138LT3G
- 商品编号
- C42401403
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HBSS138LT3G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 50 V,ID = 0.22 A
- RDS(ON) < 2.0 Ω@ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源