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HSTD46P4LLF6
P沟道 耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET场效应管，拥有50A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源极耐压（VDSS），适合应用于需要大电流和中等电压条件下的电路中。其极低的导通电阻（RDON）仅为10mΩ，有助于减少能量损耗，提高效率。支持±20V的栅源电压（VGS），为设计者提供了广泛的电压操作范围。该元件特别适用于要求高效能和低热生成的设备，例如电源转换器、电池管理系统以及各类便携式电子设备中的开关应用。
- 商品型号
- HSTD46P4LLF6
- 商品编号
- C42401421
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
HSTD46P4LLF6采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -40V,ID = -40A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源