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HSI2318CDST1GE3
N沟道 耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的电气特性，适用于广泛的电路设计中。其最大漏极电流ID可达5A，击穿电压VDSS为40V，确保了在高电压环境下的稳定工作。导通电阻RDON低至30mΩ，在大电流应用中能有效减少发热，提高效率。栅源电压VGS范围宽至20V，为驱动提供了灵活性。此MOSFET适合用于电源管理、信号切换等精密控制场合，能够满足高性能要求。
- 商品型号
- HSI2318CDST1GE3
- 商品编号
- C42401424
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSI2318CDST1GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 5A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 38mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 52mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源