HNTTFS5C471NLTAG
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的最大连续漏极电流和40V的漏源极耐压。其导通电阻低至6.9毫欧，确保了在大电流应用中的高效性能。该MOSFET支持最高20V的栅源电压，适用于需要快速开关响应和低损耗的电路设计中。无论是用于电源管理、信号切换还是其他电子项目，此元件都能提供可靠而稳定的性能表现。
- 商品型号
- HNTTFS5C471NLTAG
- 商品编号
- C42401440
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
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