温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HDMN10H100SK313
N沟道 耐压:100V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的最大连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），适用于要求高可靠性和大电流承载能力的电路设计。其导通电阻（RDS(on)）仅为80毫欧，有助于减少能耗并提高效率。该器件支持最高20V的栅源电压（VGS），保证了在各种工作条件下的稳定性能。此MOSFET特别适合用于电源管理、电机驱动以及信号放大等领域，能够提供出色的开关特性和负载控制能力。
- 商品型号
- HDMN10H100SK313
- 商品编号
- C42401431
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.433333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单