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HBUK7240100A118
N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流ID可达30A，耐压值VDSS高达100V，导通电阻RDON仅为35mΩ，在VGS为20V时表现尤为优异。适用于需要高效能与低损耗的电路设计中，如电源转换、信号放大及开关控制等应用场景，能够有效提升系统的稳定性和效率。
- 商品型号
- HBUK7240100A118
- 商品编号
- C42401433
- 商品封装
- TO-252-2L(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.411克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HBUK7240100A118采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 30A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源