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HNTTFS4824NTAG
N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有100安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源极耐压，适合要求苛刻的应用环境。其极低的4毫欧导通电阻有效减少了工作时的能耗与发热，提高了整体效率。该MOSFET支持最高±20伏特的栅源极电压，确保了广泛的应用兼容性。适用于电源转换、电池管理系统及各类需要快速响应和高效率的电子设备中。
- 商品型号
- HNTTFS4824NTAG
- 商品编号
- C42401438
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HNTTFS4824NTAG采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 60A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 5.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源