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HNTTFS4C10NTAG
N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）拥有60安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源极击穿电压，适用于需要高电流承载能力的应用。其导通电阻仅为6毫欧，有助于减少工作过程中的能量损失和发热量，提升系统效率。该MOSFET支持的栅源极电压范围为±20伏特，提供了灵活的驱动选项。适用于电源适配器、充电器、开关电源及电子负载等场合，是实现高效能转换和控制的理想选择。
- 商品型号
- HNTTFS4C10NTAG
- 商品编号
- C42401439
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
HNTTFS4C10NTAG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 35 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源