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HNTTFS4821NTAG
N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 该款N沟道场效应管（MOSFET）具备60安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源极击穿电压，确保了其在高功率密度应用中的稳定表现。其导通电阻仅为6毫欧，在确保高效能的同时降低了热损耗。该MOSFET的栅源极电压范围为±20伏特，支持广泛的电路设计需求。适用于各种需要高效开关性能和低功耗的电子产品中，如电源转换、电池管理以及信号调节等。
- 商品型号
- HNTTFS4821NTAG
- 商品编号
- C42401437
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 267pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
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