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HMCG40N03
N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 此款N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的最大连续漏极电流，30V的最大漏源极断态电压，以及6mΩ的低导通电阻，支持±20V的栅源电压。这些特性使其成为高性能开关电路的理想选择，适用于多种应用场景，比如电源转换、信号调节及设备保护等。其出色的电气性能确保了在各种复杂工作条件下的稳定性和可靠性，同时，低导通电阻有助于降低发热，提升整体系统的能效。
- 商品型号
- HMCG40N03
- 商品编号
- C42401435
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HMCG40N03采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 45 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 8 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源