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HMCG50N03TP
N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）提供80A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，拥有4.7mΩ的超低导通电阻，支持±20V的栅源电压。其卓越的电气特性适合应用于精密的电源管理、快速开关电路和高效的能量转换系统中。低导通电阻不仅减少了功率损耗，还提高了系统的整体效率，确保了在高负载条件下的稳定运行。此外，该MOSFET的紧凑设计也便于集成到空间受限的设计中。
- 商品型号
- HMCG50N03TP
- 商品编号
- C42401436
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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