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HMCG30N03ATP
耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压可达30V，导通电阻仅为6mΩ，栅源电压范围为±20V。该器件适用于高效能开关应用，如电源管理、电池充电控制和负载切换等场景。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。同时，紧凑的封装设计使得它在有限空间内也能灵活部署。
- 商品型号
- HMCG30N03ATP
- 商品编号
- C42401434
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.060804克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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