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HMCG30N03ATP
耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压可达30V，导通电阻仅为6mΩ，栅源电压范围为±20V。该器件适用于高效能开关应用，如电源管理、电池充电控制和负载切换等场景。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。同时，紧凑的封装设计使得它在有限空间内也能灵活部署。
- 商品型号
- HMCG30N03ATP
- 商品编号
- C42401434
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.060804克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HMCG30N03ATP采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 35 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源