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HBSZ050N03LSG
N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有100安培的最大连续漏极电流（ID/A），30伏特的漏源极耐压（VDSS/V），以及仅4毫欧的导通电阻（RDSON/mR）。其栅源电压（VGS/V）为20伏特，支持更广泛的驱动电压范围，提高了灵活性。此款MOSFET适用于高电流密度要求的电路设计，例如电源供应器、DC-DC转换器和信号放大等应用场景。其出色的导电性能和耐压能力，使得在高效率和可靠性方面表现卓越，是高性能电子产品中的理想选择。
- 商品型号
- HBSZ050N03LSG
- 商品编号
- C42401432
- 商品封装
- DFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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