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HIPD220N06L3G
N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET具备50A的最大漏极电流(ID)和60V的漏源极断态电压(VDSS)，其导通电阻(RDS(on))仅为15毫欧，同时支持最高20V的栅源极电压(VGS)。这些特点使其非常适合应用于需要处理大电流和高效率转换的场合，例如电源适配器、电池管理系统及各种电子设备中的开关电源设计。其卓越的性能有助于减少能耗，提高系统整体的可靠性和稳定性。
- 商品型号
- HIPD220N06L3G
- 商品编号
- C42401428
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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