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HNX7002BKWX
N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.1A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为60V，导通电阻为1300mΩ。其最大栅源电压为20V，保证了在不同应用场景下的稳定性和可靠性。此款MOSFET特别适用于小电流需求的电路，如家用电子设备、便携式电子产品的电源管理及信号切换等场合。其高导通电阻特性有助于实现低功耗设计，适合对能效有较高要求的应用。
- 商品型号
- HNX7002BKWX
- 商品编号
- C42401430
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HNX7002BKWX采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 0.115 A
- RDS(ON) < 3 Ω(@ VGS = 10 V)
- ESD等级:HBM ≥ 2000 V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源