温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HBSS138BKW115
耐压:60V 电流:0.115A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款N沟道MOSFET，其最大漏极电流(ID)为0.1A，漏源极断态电压(VDSS)高达60V，导通电阻(RDS(on))为1300毫欧，且支持最高20V的栅源极电压(VGS)。这些特性使其特别适用于需要精确电流控制和高效能表现的应用场景，如便携式电子设备或精密仪器中的信号切换和功率调节。其出色的电气性能和可靠性，确保了在复杂电路环境下的稳定运行。
- 商品型号
- HBSS138BKW115
- 商品编号
- C42401425
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
HBSS138BKW115采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 0.115A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 3Ω
- 静电放电额定值:人体模型(HBM) ≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源