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HSi2321DS
耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）的关键参数包括：最大漏极电流ID为4.2A，最高漏源电压VDSS为20V，导通电阻RDON为48mΩ，以及栅源电压VGS范围为±12V。这款MOSFET适用于多种需要精确控制电流的电路中，比如电源转换器、电池保护电路及电子设备中的开关控制。它凭借较低的导通电阻和良好的热稳定性，能够有效降低能耗，提升电路的整体效率。此外，其小巧的设计便于集成到各种紧凑型设备中，满足多样化的设计需求。
- 商品型号
- HSi2321DS
- 商品编号
- C42401427
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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