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HSI2319DST1GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- 这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有5A的连续漏极电流（ID）和40V的最大漏源电压（VDSS），适用于多样化的电路设计。其导通电阻（RDS(on)）为68mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下工作，确保了在低电压条件下仍能保持良好的导电性能和较低的能耗。此元件广泛适用于电源转换、信号处理等应用领域，尤其在需要高效能和低热产生的情况下表现优异，是众多电子设备的理想选择。
- 商品型号
- HSI2319DST1GE3
- 商品编号
- C42401423
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSI2319DST1GE3采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 R D S ( O N ) 。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -40 V, ID = -5 A
- RDS(ON) < 85 m Ω @ VGS = -10 V
- RDS(ON) < 120 m Ω @ VGS = -4.5 V
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器