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HSI4153
20V 800mA
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.8安培的最大连续漏极电流和20伏的最大漏源电压。其导通电阻为100毫欧，在8伏的栅源电压下工作稳定，适合用于要求低功耗和高效率的电路设计。该MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于电源转换、电池管理以及各类电子设备中的信号处理与保护电路，能够提供可靠的性能表现。
- 商品型号
- HSI4153
- 商品编号
- C42401406
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HSI4153采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 0.8 A
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 250 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) < 360 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT - 523
- N沟道MOSFET