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HSI4114DYT1GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET场效应管设计用于高电流应用，其连续漏极电流可达20A，最大漏源电压为20V，确保了在高压环境下的稳定运行。该器件的导通电阻仅为6.3mΩ，显著降低了功率损耗，提高了能效。其最大栅源电压为12V，提供了良好的驱动兼容性。适用于电源适配器、开关电源及电子设备中的快速开关控制，是实现高效能电路设计的理想选择。
- 商品型号
- HSI4114DYT1GE3
- 商品编号
- C42401409
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
HSI4114DYT1GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V
- ID = 20A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 5.5mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源