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HAM7940N
N沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- 这款N沟道MOSFET场效应管具备12A的最大连续漏极电流和40V的漏源极耐压值。其低至16毫欧的导通电阻，有助于减少热能损失，提高效率。该器件支持最高20V的栅源极电压，确保了在宽泛的工作条件下稳定运行。适用于电源适配器、笔记本电脑充电器以及便携式电子设备中的高效能转换和控制电路设计。
- 商品型号
- HAM7940N
- 商品编号
- C42401413
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HAM7940N采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 12A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 20mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源