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HSTL90N3LLH6
耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 此款N沟道MOSFET场效应管具有150A的最大连续漏极电流和30V的漏源极击穿电压，展现出卓越的大电流承载能力。其极低的3毫欧导通电阻，有效降低了工作时的发热，提高了能效比。该器件支持高达20V的栅源极电压，保证了在各种复杂电路环境下的稳定性和可靠性。适合应用于高性能电源供应、快速充电解决方案以及精密电子设备中的开关控制电路。
- 商品型号
- HSTL90N3LLH6
- 商品编号
- C42401414
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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