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HFDD4243
耐压:40V 电流:25A
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- 描述
- 这款P沟道MOSFET具备强大的电气性能，最大漏极电流(ID)可达25A，耐压值(VDSS)为40V，导通电阻(RDS(on))为31mΩ，支持25V的栅源电压(VGS)。这些特性使得它非常适合用于各种需要高效电流控制的场合，例如电源供应器、电池管理系统以及消费类电子产品的电路设计中，能够实现精准的电流控制与高效的能量转换，同时保证系统的稳定性和可靠性。
- 商品型号
- HFDD4243
- 商品编号
- C42401419
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.034nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
HFDD4243采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = - 40V,I D = - 25A
- R D S (O N) < 44 m Ω(V G S = 10 V 时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源